IRL6372 tranzystor dualMOS-N/N-FET 30V 8,1A 2W 0,018ohm SO-8

IRL6372 tranzystor dualMOS-N/N-FET 30V 8,1A 2W 0,018ohm SO-8

Indeks: IRL6372
Availability:
2,90 zł
Brutto (zawiera podatek VAT)

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

Opis

Montaż
SMD (powierzchniowy)
Rezystancja w stanie przewodzenia
17,9mΩ
Producent
International Rectifier
Moc
2W
Typ tranzystora
dual N/N-MOSFET
Napięcie dren-źródło
30V
Rodzaj tranzystora
HEXFET
Prąd drenu
8,1A
Obudowa
SO-8
Sterowanie bramki
Logic Level (5V)
Nowy