Strona główna > Podzespoły Elektroniczne>Półprzewodniki>Tranzystory>Tranzystory unipolarne>IRF7389 tranzystor dualMOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8
IRF7389 tranzystor MOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8 Zobacz większe
IRF7389 tranzystor dualMOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8

IRF7389

Dostępny

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

4,50 zł

Dodaj do listy życzeń

Opis

Montaż SMD (powierzchniowy)
Rezystancja w stanie przewodzenia 29mΩ
Producent International Rectifier
Moc 2,5W
Typ tranzystora dual N/P-MOSFET
Napięcie dren-źródło 30V
Rodzaj tranzystora HEXFET
Prąd drenu 7,3A
Obudowa SO-8

Opinie

Brak komentarzy od klienta w tym momencie.

Napisz opinię

IRF7389 tranzystor dualMOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8
IRF7389 tranzystor dualMOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu kanał N: 7.3A Prąd drenu kanał P: 5.3A Moc: 2.5W Obudowa: SO-8 Napięcie bramka-źródło: 20V Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ Montaż: SMD(powierzchniowy)

Napisz opinię

30 Inne produkty w tej samej kategorii:

Klienci którzy zakupili ten produkt kupili również:

Pobierz

IRF7389

Pobierz (214.47k)
ul. Kopcińskiego 31A
90-143 Łódź
Tel: +48 42 633-82-50
Email: elektra@aphelektra.com