Tel.: +48 42 633 82 50 • E-mail: elektra@aphelektra.com
Podzespoły elektroniczne
-
Kategorie
- Podzespoły Elektroniczne
- Moduły i zestawy do montażu
- Przekaźniki
- Przełączniki
- Wyposażenie warsztatowe
- Kable i przewody
- Akumulatory, baterie i zasilacze
- Złącza
- Obudowy i części mechaniczne
- Akcesoria elektryczne
- Audio
- Oświetlenie
- RÓŻNE
-
Wszystkie marki
- Amphenol
- ATMEL
- AZUSA
- CDIL
- CEM
- CEMI
- DALLAS Semiconductor
- Duracell
- Energizer
- Fairchild Semiconductor
- Finder
- GP
- Hitachi
- HONGFA
- Infineon Technologies
- International Rectifier
- Intersil
- KINETIC
- LG Electronics
- Maxell
- MICROCHIP
- Motorola
- National Semiconductor
- Neutrik
- NINGBO FORWARD Relays Corporation Ltd.
- NXP Semiconductors
- ON Semiconductor
- OSRAM
- Panasonic
- Pro'sKit
- SANYO
- SCHINDENGEN
- SCHURTER
- Sony
- ST Microelectronics
- Starlight
- Talvico
- TECXUS
- TESLA
- Texas Instruments
- Toshiba
- UNI-TREND
- V&A Instrument Co. Ltd.
- Varta
- Vinnic
- Vitalco
- O firmie
- Kontakt
Availability:
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Opis
- Montaż
- SMD (powierzchniowy)
- Rezystancja w stanie przewodzenia
- 29mΩ
- Producent
- International Rectifier
- Moc
- 2,5W
- Typ tranzystora
- dual N/P-MOSFET
- Napięcie dren-źródło
- 30V
- Rodzaj tranzystora
- HEXFET
- Prąd drenu
- 7,3A
- Obudowa
- SO-8
Nowy
Pliki do pobrania